HV IGBT

Wysokonapięciowe moduły IGBT

650V (Szybkie, nisko stratne moduły IGBT o niskiej impedancji termicznej dzięki systemowi bezpośredniego chłodzenia cieczą, duża niezawodność i wytrzymałość)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
6in1 IGBT 600 MBB600TV6A
M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

1700V wersja-D (niskie straty łączeniowe)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E17D M
1600 MBN1600E17D M
1800 MBN1800E17DD dioda o miękkiej charakterystyce M
2400 MBN2400E17D M
półmostek IGBT 600 MBM600E17D M półmostek Nota aplikacyjna
1200 MBM1200E17D M półmostek Nota aplikacyjna
600 MBM600F17D Bezpośrednie chłodzenie cieczą M technical paper*2

półmostek Nota aplikacyjna

Chopper 1200 MBL1200E17D M
półmostek
diodowy
900 MDM900E17D M
1200 MDM1200E17D M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

*2 Pierwsza publikacja odbyła się na konferencji PCIM Europe Conference 2010.


1700V wersja-E (Niskie VCE(sat), łagodne przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E17E M
1800 MBN1800E17E M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


1700V wersja-F (Technologia Advanced Trench, niskie VCE(sat), miękkie przełączanie, niskie przepięcia)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1600 MBN1600E17F W technical paper*2
2400 MBN2400E17F W technical paper*2
3600 MBN3600E17F M technical paper*2
półmostek IGBT 800 MBM800E17F W technical paper*2

półmostek Nota aplikacyjna

1200 MBM1200E17F M technical paper*2

półmostek Nota aplikacyjna

Chopper 1200 MBL1200E17F M technical paper*2
1600 MBL1600E17F M technical paper*2

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

*2 Pierwsza publikacja odbyła się na konferencji PCIM Europe Conference 2011.

2500V wersja-C (Standardowy trzeciej generacji, technologia Planer IGBT)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E25C M

*1 M:masowa produkcja, W:próbka robocza, D:wycofany z produkcji


2500V wersja-E (TechnoligiaFinePlanerHiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), miękkie przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
półmostek IGBT 400 MBM400E25E M półmostek Nota aplikacyjna

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

3300V wersja-A (Standardowy drugiej generacji)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ
(Update)
Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy
diodowy
1200 MDN1200D33 M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


3300V wersja-C ( Standardowy trzeciej generacji, technologiaPlaner IGBT)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E33C M
Chopper 800 MBL800E33C M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


3300V wersja-D (Technologia Planer IGBT – LiPT, niskie straty łączeniowe)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 800 MBN800E33D M
800 MBN800E33D-AX straty odzyskiwania zdolności zaporowych dla aplikacji wysokich częstotliwości M
1200 MBN1200E33D M
1200 MBN1200H33D Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek IGBT 400 MBM400E33D-MFR Bardzo niskie straty łączeniowe dla aplikacji wysokich częstotliwości W technical paper *2
półmostek Nota aplikacyjna
Chopper 400 MBL400E33D M
800 MBL800E33D M
półmostek
diodowy
800 MDM800E33D M
1200 MDM1200E33D M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

*2 Pierwsza publikacja odbyła się na konferencji PCIM Europe Conference 2012.


3300V wersja-E (Technologia PlanerHiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), miękkie przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 800 MBN800E33E M
1200 MBN1200E33E M
Chopper 800 MBL800E33E M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


 

3300V wersja-E2 (Technologia Fine PlanerHiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), miękkie przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1000 MBN1000E33E2 M
1500 MBN1500E33E2 M
półmostek IGBT 500 MBM500E33E2 D półmostek Nota aplikacyjna
500 MBM500E33E2-R

 

M półmostek Nota aplikacyjna
Chopper 1000 MBL1000E33E2-B M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


3300V wersja-E3 (Technologia Fine PlanerHiGT-sLiPT, miękkie przełączanie, niskie przepięcia, dla układów o dużej wartości indukcyjności Ls))
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1500 MBN1500E33E3
M
półmostek IGBT 250 MBM250H33E3 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


3300V wersja-F (Technologia AdvancedTrenchHiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), wysoki prąd znamionowy, zgodność z dyrektywą RoHS)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200F33F

 

M technical paper*2
1800 MBN1800F33F
M technical paper*3
1800 MBN1800FH33F
Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek IGBT 450 MBM450FS33F
nHPD2 W
półmostek diodowy 1200 MDM1200FH33F
Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
pojedynczy SiC 1200 MBN1200F33F-C
W
1800 MBN1800F33F-C
W
półmostek SiC 450 MBM450FS33F-C
nHPD2 W

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

*2 Pierwsza publikacja odbyła się na konferencji PCIM Europe Conference 2013.

*3 Pierwsza publikacja odbyła się na konferencji PCIM Europe Conference 2014.

4500V wersja-D (Technologia Planer IGBT-LiPT, niskie straty łączeniowe)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 600 MBN600E45A M
900 MBN900D45A M
półmostek diodowy 600 MDM600E45A M
900 MDM900E45A D

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


4500V wersja-E2 (Technologia Fine PlanerHiGT-sLiPT,niskie VCE(sat), miękkie przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 800 MBN800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji W
1200 MBN1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek diodowy 800 MDM800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji W
1200 MDM1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M

*1 M:masowa produkcja, W:próbka robocza, D:wycofany z produkcji


 

4500V wersja E2-H (Technologia Fine PlanerHiGT-sLiPT, niskie straty łączeniowe)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ
(Update)
Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 800 MBN800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji W
1200 MBN1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek IGBT 200 MBM200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek diodowy 800 MDM800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji W
1200 MDM1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji


4500V wersja-F (Technologia Advanced Trench HiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), wysoki prąd znamionowy, zgodność z dyrektywą RoHS)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy
IGBT
1500  

MBN1500FH45F

 

Obudowa o wysokim napięciu izolacji W  

technical paper*2

 

6500V wersja-E2 (Technologia Fine PlanerHiGT-sLiPT, niskie VCE(sat), miękkie przełączanie)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy IGBT 500 MBN500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
750 MBN750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
półmostek diodowy 500 MDM500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M
750 MDM750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

nHPD2
nHPD2 Obudowa nowej generacji. Nowy standard dla wysokonapięciowych modułów IGBT.

Od 1700V do 6500V
Duża gęstość mocy
Niska indukcyjność
Skalowalny, Łatwe parowanie
Obudowa nowej generacji. Nowy standard dla wysokonapięciowych modułów IGBT.

Obudowa VCES
(V)
Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1
półmostek
IGBT
1700 900 MBM900FS17G
  • LV Obudowa standardowa
W
1700 900 MBM900FS17G-C
  • LV Obudowa standardowa
W
3300 450 MBM450FS33F
  • HV obudowa o wysokim napięciu izolacji
W
3300 450 MBM450FS33F-C
  • HV Obudowa o wysokim napięciu izolacji
W
Artykuł:
SiC (Technologia Advance Trench HiGT – sLiPT, dioda SiC Schottky, bardzo niskie straty podczas dynamiczne diody SiC)
Obudowa VCES
(V)
Prąd przewodzenia IC(A) Typ Status*1 Nota aplikacyjna
pojedynczy SiC 3300 1200 MBN1200F33F-C
W
1800 MBN1800F33F-C
W
półmostek SiC 1700 900 MBM900FS17G-C
W
3300 450 MBM450FS33F-C
W

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji